AOD510 30V/70A 场效应MOS管

概述

最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术

非常低的RDS（on ），在4.5VGS

低栅极电荷

高电流能力

符合RoHS和无卤素标准

应用

在电脑，服务器和POL DC / DC转换器

在电信和工业隔离DC / DC转换器

AOD510特点

VDS                   30V

ID (at VGS=10V) 70A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 2.6mΩ

RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 4mΩ

100% UIS Tested

100% Rg Tested

AOD510产品原理图

AOD510绝对最大额定参数TA = 25°C除非另有注明

AOD510一般信息

数据列表AOD510;

TO252 (DPAK) Pkg Drawing;标准包装2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）45A（Ta），70A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2719pF @ 15VFET 功能-功率耗散（最大值）7.5W（Ta），60W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.6 毫欧 @ 20A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-252，（D-Pak）封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63