IKW30N60H3 英飞凌IGBT/600V60A

IKW30N60H3 描述英飞凌的高速设备是用来减少活性成分的大小(25 khz - - > 70 khz)表示。英飞凌的高速3家庭提供了最佳的切换和传导损失之间的妥协。这个家庭是一个关键的特性MOSFET-like断开开关行为,导致低关掉损失。IKW30N60H3 总结的特点专门设计来取代平面场效电晶体在应用程序切换频率低于70千赫

低切换损失效率高

优秀的V ce(坐)行为由于著名的英飞凌TRENCHSTOP™技术

快速交换行为与低EMI排放

二极管为目标应用程序进行了优化,进一步改善切换损失

门低电阻选择可能的(到5Ω)同时保持优秀的交换行为

短路能力

提供T j(max)175°C

包装有或没有随心所欲的二极管增加设计的自由IKW30N60H3 好处优秀的成本/性能

低切换和传导损失

很好的EMI的行为

一个小门电阻减少延迟时间和电压超调

模大小- >小包

一流的IGBT效率和EMI的行为IKW30N60H3 目标应用程序  焊接逆变器

太阳能逆变器

联合包裹

所有的硬切换应用程序IKW30N60H3一般信息数据列表IKW30N60H3

标准包装  240包装  管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - UGBT，MOSFET - 单系列TrenchStop®其它名称IKW30N60H3

IKW30N60H3-ND

SP

规格IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）600V电流 - 集电极（Ic）（最大值）60A脉冲电流 - 集电极 (Icm)120A不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）2.4V @ 15V，30A功率 - 最大值187W开关能量1.38mJ输入类型标准栅极电荷165nC25°C 时 Td（开/关）值21ns/207ns测试条件400V，30A，10.5 欧姆，15V反向恢复时间（trr）38ns工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装PG-TO247-3