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产品属性
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IRS2186S特性
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+600 V
耐负瞬态电压的dV / dt
免疫的
栅极驱动电压范围为10 V至20 V
欠压锁定两个通道
3.3 V和5 V输入逻辑兼容
匹配的传播延迟为两个通道
逻辑和电源地+/- 5V的偏移。
较低的di /更好的抗噪声能力dt的栅极驱动器
输出源出/吸入电流能力4 A / 4A的
IRS2186S概述
IRS2186(4)高电压、高速度功率MOSFET和IGBT驱动程序和独立的高端和下部引用输出通道。专有HVIC和门闩免疫CMOS技术使加固的整体结构。逻辑输入与标准CMOS兼容或LSTTL输出,降至3.3 V逻辑。输出驱动特性高脉冲电流缓冲阶段为司机cross-conduction而设计的。流动通道可用于驱动一个n沟道功率MOSFET和IGBT在高端配置运营600 V。
IRS2186S产品目录
IRS2186S包选项
IRS2186S一般信息
数据列表IRS2186(4)(S)PBF;标准包装2,500包装标准卷带 类别集成电路(IC)产品族PMIC - 栅极驱动器规格驱动配置半桥通道类型独立式栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET电压 - 电源10 V ~ 20 V逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.5V电流 - 峰值输出(灌入,拉出)4A,4A输入类型非反相高压侧电压 - 最大值(自举)600V上升/下降时间(典型值)22ns,18ns工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)封装8-SOIC
IR
IRS2186S
SOP
65600
请来电
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