图文详情
产品属性
相关推荐
IRFP250NPBF 特性
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
易于并联的
简单的驱动要求
LEAD -FREE
IRFP250N概述
第五代HEXFETs从国际整流器利用先进的加工技术达到极低的导通电阻/硅区域。这个好处,加上快速切换速度和加固的设备设计HEXFET功率mosfet是众所周知的,为设计师提供了一个极其有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。
在TO- 247封装的首选商业工业应用更高的功率水平排除使用的TO-220的设备。该TO- 247相似但由于其孤立的安装孔优于早期的TO- 218封装。
IRFP250NPBF 原理图
IRFP250NPBF 一般信息
数据列表IRFP250NPbF;标准包装25包装散装 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列HEXFET®规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)30A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)123nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2159pF @ 25VVgs(最大值)±20VFET 功能-功率耗散(最大值)214W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)75 毫欧 @ 18A,10V工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型通孔封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3
IR
IRFP250NPBF
TO247
65600
请来电
供应XC6SLX45-3FGG484I 原装进口 XC6SLX45-3FGG484I 参数 规格书 单价
UC1625J 电源管理芯片 原装特价
供应AD9767AST 代理 原装进口AD9767AST单价
供应LT1763CS8-1.8 原装进口 LT1763CS8-1.8 参数 规格书 单价
FQD10N20C N沟道增强型功率 MOSFET
供应XC6VLX365T-1FFG1759I 原装进口 XC6VLX365T-1FFG1759I 参数 规格书 单价
供应AD5318BRUZ 原装进口 AD5318BRUZ 参数 规格书 单价
供应EP2S180F1508I4N 原装进口 EP2S180F1508I4N 参数 规格书 单价
供应EP3C40U484I7N 原装进口 EP3C40U484I7N 参数 规格书 单价
AMC1100DUBR 全差动隔离放大器