BSC028N06NS /60V/N沟道MOS管

BSC028N06NS概述

OptiMOS™5 60v是优化同步整流开关模式电源(smp)如发现在服务器和台式机和平板电脑充电器。除了这些设备是一个完美的选择范围广泛的工业应用包括电动机控制、太阳能微型逆变器和快速切换电源转换器。

BSC028N06NS特征描述

优化同步整流

低40% R DS(上)比替代设备

提高40%的FOM /类似的设备

通过无铅认证——无卤

MSL1 rated

BSC028N06NS优势

系统最高效率

少需要并联

增加功率密度

系统成本降低

非常低的电压过冲

BSC028N06NS一般信息

数据列表BSC028N06NS;标准包装5,000包装标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™规格FET 类型N 沟道技术MOSFET漏源极电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）23A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.8V @ 50μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）37nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2700pF @ 30VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），83W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.8 毫欧 @ 50A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN