FDS6930A 5.5 A/30 V/双N沟道MOS管

FDS6930A产品概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

FDS6930A产品特性

5.5 A，30 V。 RDS(ON) = 0.040 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V。

开关速度快。

低栅极电荷（典型值5 nC）。

高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

高功率和高电流处理能力。

FDS6930A产品技术参数数据列表FDS6930A标准包装2,500包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列规格FET 类型2 个 N 沟道（双）FET 功能逻辑电平门漏源极电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）5.5A不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）40 毫欧 @ 5.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）7nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）460pF @ 15V功率 - 最大值900mW工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装8-SO