FDMC86106LZ 晶体管/N沟道/100V3.3A

FDMC86106LZ产品描述

这n沟道逻辑级场效应管生产使用飞兆半导体公司的高级电源沟®过程一直特别适合最小化开态电阻,但保持优越的切换性能。g齐纳添加了增强防静电电压水平。

FDMC86106LZ产品功能„

马克斯rDS()= 103 mΩvg = 10 V,ID = 3.3„马克斯rDS()= 153 mΩvg = 4.5 V,ID = 2.7„HBM ESD保护水平> 3 KV典型(注4)„100% UIL„进行测试

通过无铅认证

FDMC86106LZ产品执行„

DC - DC转换

产品技术参数数据列表FDMC86106LZ

标准包装  1包装  剪切带（CT） 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列PowerTrench®其它名称FDMC86106LZCT

规格FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能标准漏源极电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.3A（Ta），7.5A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）103 毫欧 @ 3.3A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）310pF @ 50V功率 - 最大值2.3W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerWDFN供应商器件封装8-MLP（3.3x3.3）