AOT12N30 300V/11.5A/N沟道TO-220场效应管

AOT12N30产品概述

AOT12N30 /AOTF12N30是使用先进的高压MOSFET制作的过程,旨在提供高水平的性能和鲁棒性在流行交直流应用程序。通过提供低RDS（门),独联体和crs雪崩能力保证这部分可以采用快速进入新的和现有离线电源设计。这些地方非常适合提振消费者转换器和同步整流器,电信、工业电源和LED背光。

无卤添加“L”后缀部分号码:AOT12N30L / AOTF12N30L

AOT12N30产品特性

VDS                       350V@150℃

ID (at VGS=10V)     11.5A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 0.42Ω

100 ％ UIS测试

100% Rg经过测试

AOT12N30产品技术参数

数据列表AO(T,TF)12N30

TO220 Pkg Drawing标准包装 1,000包装 管件 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单规格FET 类型MOSFET N 通道FET 功能标准漏源极电压（Vdss）300V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.5A（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）420 毫欧 @ 6A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）16nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）790pF @ 25V功率 - 最大值132W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220