IRFR9220 3.6A/200V/P沟道功率MOS管

IRFR9220特性动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩表面贴装（ IRFR9220 / SiHFR9220 ）直铅（ IRFUFU9220 / SiHFU9220 ）可用磁带和卷轴P沟道快速开关铅（Pb ） ，免费提供 IRFR9220概述第三功率MOSFET技术的关键是威世先进的线路功率MOSFET晶体管。高效几何形状的功率MOSFET和独特的加工设计实现极低的通态电阻结合高跨导和极端设备的耐用性。该DPAK是专为使用蒸汽表面安装相，红外，或波焊工艺。直铅版（ IRFU / SiHFU系列）是通孔安装应用程序。功率耗散水平高达1.5瓦是可能的典型的表面安装的应用程序。 IRFR9220产品技术参数通道类型 P最大连续漏极电流 3.6 A最大漏源电压 200 V最大漏源电阻值 1.5 Ω最小栅阈值电压 2V最大栅源电压 ±20 V封装类型 DPAK安装类型 表面贴装引脚数目 3通道模式 增强类别 功率 MOSFET最大功率耗散 2.5 W配置 单工作温度 -55 °C高度 2.39mm典型接通延迟时间 8.8 ns典型输入电容值@Vds 340 pF@ 25 V尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V宽度 6.22mm典型关断延迟时间 7.3 ns长度 6.73mm最高工作温度 +150 °C每片芯片元件数目 1