IRLRV功率MOSFET

IRLR7843 N沟道 MOSFET 晶体管 161A Vds=30V 3针 DPAK封装

IRLR7843应用

高频率同步降压

转换为计算机处理器电源

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

IRLR7843好处

非常低的RDS（on ），在4.5V VGS

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压和电流

IRLR7843产品技术参数

通道类型N最大连续漏极电流161 A最大漏源电压30 V最大漏源电阻值0.004 Ω最大栅阈值电压2.3V最小栅阈值电压1.4V最大栅源电压±20 V封装类型DPAK安装类型表面贴装引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET最大功率耗散140 W配置单长度6.73mm尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm典型接通延迟时间25 ns典型输入电容值@Vds4380 pF@ 15 V工作温度-55 °C典型栅极电荷@Vgs34 nC@ 4.5 V宽度6.22mm每片芯片元件数目1高度2.39mm最高工作温度+175 °C典型关断延迟时间34 ns