IRLR8259 57A/25V/功率MOS管/TO-252

地区:广东 深圳
认证:

湖人半导体(深圳)有限公司

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IRLR8259好处

非常低的RDS(on ),在4.5V VGS

超低栅极阻抗

充分界定雪崩电压和电流

LEAD -FREE

符合RoHS

IRLR8259产品技术参数

通道类型N最大连续漏极电流57 A最大漏源电压25 V最大漏源电阻值0.009 Ω最大栅源电压±20 V封装类型DPAK安装类型表面贴装引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET最大功率耗散48 W配置单典型接通延迟时间8.4 ns每片芯片元件数目1宽度6.22mm最高工作温度+175 °C高度2.39mm尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm长度6.73mm典型关断延迟时间9.1 ns工作温度-55 °C典型栅极电荷@Vgs6.8 nC V @ 4.5典型输入电容值@Vds900 pF V @ 13


IRLR8259大量现货


品牌

IR

型号

IRLR8259

封装

TO252

库存

65600

单价

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