FDS6930B 5.5A/30V双N沟道逻辑电平/MOS管

FDS6930B概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越开关性能而定制的。这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

FDS6930B特性

5.5A，30V

RDS(ON) = 38 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = 4.5V

快速开关速度

低栅极电荷

高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

高功率和高电流处理能力

FDS6930B产品参数技术

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 38 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 3.8nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 412pF @ 15V

功率 - 最大值 900mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

封装 SOP-8