FDPF3860T MOS管/100V/20A/N沟道

FDPF3860T产品概述

该N沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

FDPF3860T产品特性

RDS(on) = 29.1mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 5.9A

快速开关速度

低栅极电荷

高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)

高功率和高电流处理能力

符合 RoHS 标准

FDPF3860T产品应用

家用电器

LCD / LED / PDP电视

同步整流

不间断电源

微型太阳能逆变器

FDPF3860T产品技术参数

通道类型 N

最大连续漏极电流 20A

最大漏源电压 100V

最大漏源电阻值

0.038 Ω

最小栅阈值电压

2.5V

最大栅源电压

±20 V

封装类型

TO-220F

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

Trench MOSFET

最大功率耗散

33.8 W

配置

单

尺寸

10.36 x 4.9 x 16.07mm

长度

10.36mm

宽度

4.9mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

23 nC@ 10 V

典型输入电容值@Vds

1350 pF@ 25 V

典型关断延迟时间

24 ns

典型接通延迟时间

15 ns

工作温度

-55 °C

高度

16.07mm

最高工作温度

+150 °C