BF1212R 增强型N沟道场效应晶体管

BF1212R概述

增强型N沟道场效应晶体管，采用塑料SOT143B封装。

增强型与N沟道场效应晶体管源和基体相互关联的。集成的二极管门和源极之间防止过高的输入电压浪涌。该BF1212 ， BF1212R和BF1212WR被封装在所述SOT143B ， SOT143R和SOT343R塑料封装分别。

BF1212R特性

•具有较高的正向传输短沟道晶体管纳输入电容比

•低噪声增益控制放大器

•出色的低频噪声性能

•部分内部自偏置电路，以确保良好的AGC和好时的交叉调制性能DC稳定。

BF1212R产品技术参数

晶体管类型 N 通道双门

频率 400MHz

增益 30dB

电压 - 测试 5V

额定电流 30mA

噪声系数 0.9dB

电流 - 测试 12mA

功率 - 输出 -

电压 - 额定 6V

封装/外壳 SOT-143R

封装 SOT-143R

BF1212R应用

VHF和UHF电视调谐器