IRF9530N P沟道MOSFET晶体管

IRF9530N特性

先进的工艺技术

动态的dv / dt额定值

175 ° C工作温度

快速开关

P沟道

IRF9530N产品技术参数

通道类型 P

最大连续漏极电流 14 A

最大漏源电压 100 V

最大漏源电阻值 0.2 Ω

最大栅阈值电压 4V

最小栅阈值电压 2V

最大栅源电压 ±20 V

封装类型 TO-220AB

安装类型 通孔

引脚数目 3

通道模式 增强

类别 功率 MOSFET

最大功率耗散 79 W

IRF9530N 配置 单

最高工作温度 +175 °C

每片芯片元件数目 1

典型接通延迟时间 15 ns

工作温度 -55 °C

典型关断延迟时间 45 ns

典型栅极电荷@Vgs 58 nC@ 10 V

高度 8.77mm

典型输入电容值@Vds 760 pF@ 25 V