供应SPA11N80C3 MOS管 SPA11N80C3单价 规格书 参数

制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220FP-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 800 V 
Id-连续漏极电流: 11 A 
Rds On-漏源导通电阻: 390 mOhms 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 85 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
商标名: CoolMOS 
封装: Tube 
高度: 16.15 mm  
长度: 10.65 mm  
系列: CoolMOS C3  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 4.85 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 10 ns  
Pd-功率耗散: 34 W  
上升时间: 15 ns  
工厂包装数量: 500  
典型关闭延迟时间: 72 ns  
典型接通延迟时间: 25 ns  
零件号别名: SP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N8C3XK  
单位重量: 6 g

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