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产品属性
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制造商: IR
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 200 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 120 nC
配置: Single Dual Drain
封装: Tube
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 280 W
工厂包装数量: 25
零件号别名: SP
单位重量: 38 g
深圳市廊宇达科技有限公司是一家专业的半导体独立分销机构,拥有多年市场推广与销售运作经验,在中国地区曾经服务的客户达到3000个以上,60%为工业生产型客户(OEM工厂),30%为电子类贸易商,10%为研究机构和高等院校。 廊宇达科技有限公司以香港为中心,在深圳设立电子事业部,主要负责亚洲区域内电子元器件的销售与客户的开拓和维护。 廊宇达关注高端产品路线,产品广泛应用于通讯网络、军用设备、医疗机械、精密仪器。廊宇达坚持全新原装标准,所有产品符合原厂技术。擅长偏冷门、停产半导体产品的销售。
VISHAY IR
IRFP3206PBF
TO247-3
2016
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