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PHKD13N03LT,518封装SOIC-8晶体管MOSFET

地区：广东 深圳
认证： 无

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产品编号：PHKD13N03LT,518

描述：MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 10.4A 3.57W 表面贴装型 8-SO

产品属性PHKD13N03LT,518
类型
描述
选择 
类别
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
20 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
10.7nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
752pF @ 15V
功率 - 大值
3.57W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型PHKD13N03LT,518
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO










型号/规格

PHKD13N03LT,518

品牌/商标

NXP(恩智浦)

日期

21+

封装

SOIC-8

类型

分立半导体产品 晶体管 FETMOSFET阵列