CSD16321Q5 SON-8贴片场效应MOSFET【实物拍摄】N沟道CSD16321

产品信息：

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：25 V

闸/源击穿电压：- 8 V, + 10 V

漏极连续电流：31 A

导通电阻：2.4 mOhms

配置：Single Quad Drain Triple Source

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：SON-8

封装：Reel   商标：Texas Instruments

下降时间：17 ns

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：3.1 W

上升时间：15 ns   系列：CSD16321Q5

工厂包装数量：2500

商标名：Nex    FET典型关闭延迟时间：27 ns

品牌信息：

美国德州仪器公司（英语：Texas Instruments，简称：TI），是世界上最大的模拟电路技术部件制造商，主要从事创新型数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。德州仪器（TI）总部位于美国德克萨斯州的达拉斯。