全新原装芯片内存 K4S641632F-TC60 进口IC 电子 闪存芯片.

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配置Single Dual Source
晶体管极性N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.036 Ohms
汲极/源极击穿电压600 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流75 A
功率耗散560 W
最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-227B
封装Tube
下降时间10 ns
最小工作温度- 40 C