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地区:广东 深圳
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制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS
产品IGBT Silicon Modules
配置Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.7 V
Continuous Collector Current at 25 C50 A
栅极—射极漏泄电流150 nA
功率耗散280 W
最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体EconoPACK 2
栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C
安装风格Screw
Standard Pack Qty500



型号/规格

BSM35GD120DN2

品牌/商标

NXP(恩智浦)

环保类别

无铅环保型