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产品属性
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SI2300 N沟道增强型功率MOSFET
该SI2300采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。
产品型号:SI2300
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
最小包装:3000PCS
漏极-源极电压(VDS):20V
漏极电流(ID):3.8A
漏源电流脉冲IDM:15A
栅源电压(VGS): ±10V
结温(TJ):150℃
储存温度(TSTG):-55~150℃
耗散功率(PD):1.25W
栅源极开启电压VGS(th):0.55~1.0V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
SI2300
HC/浩畅
SOT-23-3L
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
小功率