SI2341低压MOS管 场效应管MOS管工厂现货热销SI2323

地区:广东 深圳
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MOSFET/场效应管 SI2341

产品型号:SI2341

产品封装:SOT-23

产品品牌:浩畅

是否环保:无铅环保

包装:3000PCS

P沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压(VDS:-20V

漏极电流(ID:-4.1A

漏源电流脉冲IDM:-20A

栅源电压(VGS: ±8V

结温(TJ:150

储存温度(TSTG:-55~150

耗散功率(PD:1.25W

栅源极开启电压VGS(th):-0.4 ~ -1.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

生产设备:



浩畅产品应用领域:



什么是MOS管:

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)—半导体。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

主要参数

1.开启电压VT

·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压

·标准的N沟道MOS管,VT约为36V

·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到23V

2. 直流输入电阻RGS

mos·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω

3. 漏源击穿电压BVDS

·VGS=0(增强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面:

1)漏极附近耗尽层雪崩击穿

2)漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS

5. 低频跨导gm

·VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDSID的影响 ,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中 ,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGSCGD约为13pF

·CDS约在0.11pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB

·这个数值越小,代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小



型号/规格

SI2341

品牌/商标

HC/浩畅

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率