浩畅生产销售低压MOS场效应管2N7002K

地区:广东 深圳
认证:

深圳市浩畅半导体有限公司

金牌会员5年

全部产品 进入商铺

场效应管/MOS管:2N7002K

产品封装:SOT-23

产品类型:低压MOS

产品品牌:HC/浩畅

是否含铅:无铅环保

材料:硅胶

沟道:N

漏电流:0.115A

漏源电压VDSS(V)60V

VGS(V):10V

POWER(W):0.2W 

产品详细规格参数:见产品规格书!

2N7002K N沟道MOS管的结构及工作原理

 

N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS)的结构及工作原理

结型场效应管的输入电阻虽然可达106109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求。而且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温条件下工作时,PN结反向电流增大,反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同,金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质,使栅极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管),因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单,适于制造大规模及超大规模集成电路。


2N7002K SOT-23



型号/规格

2N7002

品牌/商标

HC/浩畅

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率