FDD4141-F085

地区:广东 深圳
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深圳市斌腾达科技有限公司

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联系人:朱先生

Q Q2099320098

制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:50 ARds On-漏源导通电阻:12.3 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:2.4 W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101商标名:PowerTrench封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.39 mm 长度:6.73 mm 系列:FDD4141_F085 晶体管类型:1 P-Channel 类型:Power Trench MOSFET 宽度:6.22 mm 商标:ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值:38 S 下降时间:15 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:38 ns 典型接通延迟时间:10 ns 零件号别名:FDD4141_F085 单位重量:260.370 mg



型号/规格

FDD4141-F085

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

大功率

年份

18+

数量

56592

备注

全新原装 大量库存现货

封装

TO-252-3

Vds-漏源极击穿电压

40v

Id-连续漏极电流

50A

Rds On-漏源导通电阻

12.3 mOhms

包装

2500