供应低压MOS GT/SI2300 MOS管 SOT-23封装 20V 4.2A

产品详细参数：

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型MOS

VDS= 20V

RDS(ON), , = 38mΩ

RDS(ON), , = 30mΩ

Features特性 

Advanced trench process technology高级的加工技术

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计

High Power and Current handing capability大功率、大电流

Ideal for Li ion battery pack applications理想的锂电池应用

SOT-23封装系列： 3416等等

SOP-8封装系列：等等

DC-DC系列：等