ESD压敏电阻MLV0603ES006V00R2P一站式现货

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目前业内最常见的板级ESD保护器件主要有以下三种,它们的关键属性如下。一 聚合物ESD抑制器(PGB):这是最新的技术,设计用于产生最小的寄生电容值(<0.2pF)。这一特性允许它们用于高速数字和射频电路,而不会引起任何信号衰减。二 多层压敏电阻(MLV):这类基于氧化锌的器件可提供ESD保护和低级别的电涌保护。它们的小形状因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它们非常适合于便携式应用(如手机和数码相机等)。三 硅保护阵列(SPA):这类分立和多通道器件设计用于保护数据线和I/O线免受ESD和低级别瞬态浪涌的伤害。它的关键特性是非常低的钳位电压,这允许它们保护最敏感的电路。 目前几乎所有的芯片组都有片上ESD保护。

本文推荐是低容多层压敏电阻(ESD压敏电阻)MLV0603ES006V00R2P

1:ESD压敏电阻MLV0603ES006V00R2P一站式现货基本信息

工作电压:6V

封装:0603

钳位电压:30V

容值:0.2pF

包装:5000PCS

2:ESD压敏电阻MLV0603ES006V00R2P一站式现货基本特性

1、符合RoHS标准,无铅和无卤素

2、防ESD静电电压和电流 (IEC61000-4-2 等级4)

3、极快的响应时间(<1 ns),目前理想的ESD保护

4、极低的电容

5、极低的泄漏电流

6、双向装置

7、表面贴装器件

8、零信号失真

3:ESD压敏电阻MLV0603ES006V00R2P一站式现货基本尺寸图

4:相关型号:

0402贴片压敏电阻

MLV0402ES005V0100N; MLV0402ES005V0082N; MLV0402ES005V0056N;

MLV0402ES005V0033N; MLV0402ES005V0022N; MLV0402ES005V0010N;

MLV0402ES005V0005P; MLV0402ES012V0100N; MLV0402ES012V0082N;

MLV0402ES012V0056N; MLV0402ES012V0022N; MLV0402ES012V0033N;

MLV0402ES012V0010N; MLV0402ES012V0005P; MLV0402ES024V02R5P;

MLV0402ES006V00R2P

0603ESD静电阻抗器:

MLV0603ES005V0100N; MLV0603ES005V0082N; MLV0603ES005V0056N;

MLV0603ES005V0033N; MLV0603ES005V0022N; MLV0603ES005V0010N;

MLV0603ES005V0005P; MLV0603ES012V0100N; MLV0603ES012V0082N;

MLV0603ES012V0056N; MLV0603ES012V0022N; MLV0603ES012V0033N;

MLV0603ES012V0010N; MLV0603ES012V0005P; MLV0603ES024V02R5P;

MLV0603ES006V00R2P


型号/规格

MLV0603ES006V00R2P

品牌/商标

AEM

环保类别

无铅环保型

产品主要用途

普通/民用电子信息产品

功率分类

大功率(>5W)

类别

普通型

外形结构特征

长方体型

引出线类型

无引出线

包装形式

卷带编带包装