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瞬态电压抑制器二极管(也称为瞬态抑制二极管——TVS Diode)专门用于保护电子电路,以防受到 瞬变和过压的危害,例如:EFT(电气快速瞬变)以及ESD(静电放电)。瞬态抑制二极管是采用硅雪崩技术的器件,因其具有反应时间快(低钳位电压)、电容值较低和漏电流低等特点而被选用。
主要特性:
出色的ESD保护特性
极低容抗
超快的响应速度(<1ns)
低钳位电压
超低漏电流
IEC 61000-4-2,level 4 认证(> 15 kV 非接触放电, > 8 kV 接触放电)
HBM MIL-Std 883, class 3认证(> 4 kV)
EESD03CC02
YF
SOD-323
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
超高频