RLSD32A031LC静电二极管

 近年来，消费者对手机、 计算机、数码相机等便携电子产品的功能要求越来越高，相应的功能性I/O端口也随之越来越多。消费者在电缆连接和断开时将有更大可 能触摸到I / O连接器的引脚。在正常工作条件下，触摸一个暴露的端口或接口，可以导致超过30kV以上电压的放电。小线宽的半导体器件由于不能承受过高的电压、过高电 流或者是两者的结合而被损坏，过高的电压可能会导致栅氧化层被击穿，而过高的电流会造成结发生故障和金属连线熔化。

       在ESD保护器件的选择方面，传统上常用的ESD保护器件有齐纳二极管、金属氧化物可变电阻（MOV）和TVS瞬态电压抑制二极管
确保信号完整性对ESD保护器件的设计要求首先要保证有很高的抗静电放电能力，其次就是要确保信号完整性的要求的足够低的电容、更高的带宽及ESD保护器件批次的一致性。