ESD3.3V52D-C手机ESD静电保护元件

ESD保护在实现上基本有两种方式：IC内部的保护和IC外部的保护。前者虽然可以增加靠性，而且因不需要外部的保护而比较简单；但同样，也会增大硅片面积，同时，因为硅片中寄生电容和寄生电阻的存在，会引起信号之间的相互串扰。所以，现在外部的ESD保护方案应用得越来越广泛。外部ESD保护电路包括应用具有防静电功能的电路保护器件如压敏电阻、TVS二极管、ESD静电二极管、磁珠/LC滤波器等。本篇主要介绍的是ESD静电二极管SOD-523封装ESD3.3V52D-C在手机ESD问题中的防护作用，以下是ESD3.3V52D-C的具体参数与特性：

ESD3.3V52D-C的参数：

封装：SOD-523 

电压：3.3V

钳位电压：7V

容值：10pF 

功率：100W，

ESD3.3V52D-C的特性：

1、依据(tp=8/20μs)线路，峰值脉冲功率为100W

2、保护一个I/O线

3、低钳位电压

4、工作电压：3.3V,5V,8V

5、低漏电流

6、IEC61000-4-2(ESD)±30kV(空气),±30kV(接触)

7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs) 

ESD保护在设计中应该兼顾性能和成本。因此ESD静电二极管选型要注意以下几个原则：

1) 保护电路响应速度要快―IEC61000-4-2波形的上升沿只有1ns。

2) 能应付大的瞬态电流。    

3) 考虑瞬态电压在正负极性两个方向发生。

4) 对信号增加的电容负载效应和电阻损耗效应控制在允许范围内。

5) 考虑体积因素以适应轻巧的便携式设备。

6) 产品成本因素。