AOS美国万代 SOT23 AO3413
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 数据列表 |
AO3413 |
|---|---|
| 产品相片 |
SOT-23-3 |
| 其它有关文件 |
AOS Green Policy |
| 其它图纸 |
AO34xx Series SOT-23 Top AO34xx Series SOT-23 End AO34xx Series SOT-23 Side |
标准包装 
|
3,000 |
| 类别 |
分立半导体产品 |
| 家庭 |
FET - 单 |
| 系列 | - |
|
包装
|
带卷（TR）
|
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 3A（Ta） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 97 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 6.1nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 |
SOT-23-3 |
AO3413
AOS
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
中频
NPN型
