CMOS电路ESD保护结构设计

CMOS电路ESD保护结构的设计：

大部分的ESD电流来自电路外部，因此esd保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。具体到I/O电路，就是与PAD相连的输出驱动和输入接收器，必须保证在ESD发生时，形成与保护电路并行的低阻通路，旁路ESD电流，且能立即有效地箝位保护电路电压。而在这两部分正常工作时，不影响电路的正常工作。

常用的esd静电保护器件有电阻、二极管、双极性晶体管、MOS管、可控硅等。由于MOS管与CMOS工艺兼容性好，因此常采用MOS管构造保护电路。

CMOS工艺条件下的NMOS管有一个横向寄生n-p-n（源极-p型衬底-漏极）晶体管，这个寄生的晶体管开启时能吸收大量的电流。利用这一现象可在较小面积内设计出较高ESD耐压值的保护电路，其中最典型的器件结构就是栅极接地NMOS（GGNMOS，GateGroundedNMOS）。

为了进一步降低输出驱动上NMOS在ESD时两端的电压，可在esd静电保护器件与GGNMOS之间加一个电阻。这个电阻不能影响工作信号，因此不能太大。画版图时通常采用多晶硅（poly）电阻。