MLV0603ES005V0005P静电抑制器/ESD静电阻抗器

ESD靜電抑制器，是一种由高分子材料制成，内部菱形分子以规则离散状排列，当静电电压超过该器件的触发电压时，内部分子迅速产生尖端对尖端的放电，将静电在瞬间泄放到地。具有自身电容低(0.05~0.2pF)、泄漏电流低（<1nA）、箝位电压低和响应速度快（0.5ns～1ns）的特点，特别适用于低压、高速应用，如移动电话、MP3/MP4播放器、PMP便携媒体播放器、GPS全球定位系统、高速数据传输电路 (IEEE 1394、USB 2.0、InfiniBand、HDMI 和 DVI等)。它们能满足这些应用对保护器件具有极低电容的要求，可将对数据信号完整性的影响减小到最小.

MLV0603ES005V0022N；MLV0603ES005V0010N；MLV0603ES005V0056N；MLV0603ES005V0005P；MLV0603ES005V0033N；MLV0603ES012V0022N；MLV0603ES012V0010N；

MLV0603ES012V0056N；MLV0603ES012V0005P；

MLV0603ES012V0033N

MLV0603ES012V0005P；MLV0603ES024V0003N；MLV0603ES024V02R5P；MLV0603ES024V00R8P；MLV0402ES005V0022N；MLV0402ES005V0010N；MLV0402ES005V0056N；MLV0402ES005V0005P；MLV0402ES005V0033N；MLV0402ES012V0022N；MLV0402ES012V0010N；MLV0402ES012V0056N；MLV0402ES012V0005P；MLV0402ES012V0033N；MLV0402ES012V0005P；MLV0402ES024V0003N；MLV0402ES024V02R5P；MLV0402ES024V00R8P