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MOS 场效应管也被称为MOS FET,即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。
本文使用的为增强型MOS 效应管,它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。
但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
电压放大型器件,输入阻抗高,耐压高,就是用电压控制的单极型晶体管(只有一种极性的载流子工作),它几乎不向信号源吸取电流,所以输入阻抗高。
BLF278
NXP(恩智浦)
无铅环保型