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1)N-CH MOSFET + PNP transistor

2)package :DFN2*2*0.75(6L) 

3) N-MOS: 30V, 2.5A,  IPD=10A

4)  PNP: VCEb=-25v, IC=-1A,

ò集成N-MOSPNP三极管。
ò集电极大电流,达0.8A
ò极低集电极-发射极饱和压降
ò穿透电流小。
òDFN2x2小封装,节省PCB空间
ò内阻小,功耗低。
Device
Vds
Vgs
VCB
Vcesat
@Ic=-800mA,Ib=-80mA
VCE
Ice
Package
MC2539
30V
8V
-40V
-0.4V
-25V
0.8A
DFN2X2-6L

IC TYPE

N-CH MOSFET + PNP transistor

N-MOS

30V, 2.5A, IPD=10A

PNP TRANSISTOR

VCEb=-25v, IC=-1A,

PACKAGE

DFN2*2*0.75(6L)