晶体管 - 场效应管全新原装STMICROELECTRONICS品牌STD1NK60T4型号的功率场效应管, MOSFET, N沟道

晶体管 - 场效应管MOSFET (600V以上):

STMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

制造商： STMICROELECTRONICS

制造商产品编号 STD1NK60T4
包装:: 切割卷带
Technical Data Sheet (427.01KB) EN
其它包装选项

复卷（最少 150/卷） 1752022RL
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产品信息

晶体管极性 N沟道
电流, Id 连续 500mA
漏源电压, Vds 600V
在电阻RDS（上） 8ohm
电压 @ Rds测量 10V
阈值电压 Vgs 3V
功耗 Pd 30W
晶体管封装类型 TO-252
针脚数 3引脚
工作温度最高值 150°C
产品范围 -
MSL MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质) No SVHC (17-Dec-2015)

潮湿敏感级别： MSL 1 -无限制原产地： China
进行最后一道重要生产流程所在的国家

RoHS 合规：是
RoHS 合规证书

型号/规格

STD1NK60T4

品牌/商标

STMICROELECTRONICS

环保类别

无铅环保型

晶体管封装类型

TO-252

供应晶体管 - 场效应管全新原装STMICROELECTRONICS品牌STD1NK60T4型号的功率场效应管, MOSFET, N沟道