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产品属性
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该产品采用H桥电路结构设计,采用高可靠性功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET,工作
电压范围覆盖2V到9.6V。27℃,VDD=6.5V,两个通道同时工作的条件下,2通道持续输出电流达到0.8A,峰值输出电流达到1.5A;1通道持续输出电流达到1.2A,峰值输出电流达到2A。该电路为功率器件,本身具备一定内阻,电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时(典型值150℃),产生功率管关断信号,关闭负载电流,避免因异常使用导致的温度持续升高,进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才
允许重新对功率管进行控制。
特性
低待机电流(小于0.1uA)
低导通内阻MOSFET功率开关管
—采用MOS工艺设计功率管
— 1通道1200毫安功率管内阻0.46欧姆
— 2通道800毫安功率管内阻0.5欧姆
内部集成续流二极管
—无需外接续流二极管
较小的输入电流
—集成约15K对地下拉电阻
— 3V驱动信号平均200uA输入电流
内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
抗静电等级:3KV (HBM)
应用范围
2-6节AA/AAA干电池供电的玩具马达驱动
2-6节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱
动
1-2节锂电池供电的马达驱动
该产品采用H桥电路结构设计,采用高可靠性功率管工艺,特别适合驱动线圈、马达等感性负载。电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET,工作
电压范围覆盖2V到9.6V。27℃,VDD=6.5V,两个通道同时工作的条件下,2通道持续输出电流达到0.8A,峰值输出电流达到1.5A;1通道持续输出电流达到1.2A,峰值输出电流达到2A。该电路为功率器件,本身具备一定内阻,电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路,实时监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时(典型值150℃),产生功率管关断信号,关闭负载电流,避免因异常使用导致的温度持续升高,进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才
允许重新对功率管进行控制。
MX1208
MX1208
SOT/SOP
2021
0.5/个
全新原装