供应LY60N电压检测芯片IC

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LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度:±1%-vdet=2.2V以上)

低功耗:典型值0.7uAVIN=3.5 V-vdet=2.0 V

检测电压范围:1.0~6.5伏,以0.1伏为增量

工作电压范围:0.7V~7V

检测电压温度特性:

TYP±100ppm

输出配置:NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装:3SOT23-3SOT89-3TO-92

 

LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度:±1%-vdet=2.2V以上)

低功耗:典型值0.7uAVIN=3.5 V-vdet=2.0 V

检测电压范围:1.0~6.5伏,以0.1伏为增量

工作电压范围:0.7V~7V

检测电压温度特性:

TYP±100ppm

输出配置:NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装:3SOT23-3SOT89-3TO-92LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度:±1%-vdet=2.2V以上)

低功耗:典型值0.7uAVIN=3.5 V-vdet=2.0 V

检测电压范围:1.0~6.5伏,以0.1伏为增量

工作电压范围:0.7V~7V

检测电压温度特性:

TYP±100ppm

输出配置:NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装:3SOT23-3SOT89-3TO-92 

LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器制造使用NMOS技术。检测电压非常高温度漂移小。NMOS输出配置可用。

高精度:±1%-vdet=2.2V以上)

低功耗:典型值0.7uAVIN=3.5 V-vdet=2.0 V

检测电压范围:1.0~6.5伏,以0.1伏为增量

工作电压范围:0.7V~7V

检测电压温度特性:

TYP±100ppm

输出配置:NMOS

典型应用

微处理器复位电路

存储器电池备份电路

上电复位电路

电源故障检测

典型应用电路

封装:3SOT23-3SOT89-3TO-92

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型号/规格

LY60N

品牌/商标

LY

封装

SOT/SOP

批号

2021

价格

0.5/个

产品说明

全新原装