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工作原理:二*管、晶体二*管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层,并建自建电场。当外加电压不存在,是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的,同时漂移,并在平衡状态。当外面的世界有着积*的偏压,外电场与电场的相互自我抑制的作用,在消除承运人增加,从目前的扩散正向电流。当外面世界的反向偏压,外电场和电场,以进一步加强自身建设,在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。当反向电压应用到*程度, PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中,大量的电子空穴对,有相当部分的数值反向击穿电流,击穿现象被称为二*管。 该类型的二*管 有许多类型的二*管,根据半导体材料的使用,可分为锗二*管(葛管)和硅二*管(硅管) 。根据其不同用途,可分为探测器二*管,整流二*管,二*管调节器,开关二*管,隔离二*管,肖特基二*管,发光二*管等。根据该*结构,可分为点接触二*管,接触式平面二*管和二*管。二*管是一个联络点,与一个很小的金属丝压在清洁表面上的半导体芯片,一个脉冲电流,导线接触到年底晶片牢固烧结在一起,形成一个" PN结" 。点接触,只允许通过较小的电流(不*过几十毫安) ,适用于小型高频率电流电路,如无线电探测器。接触二*管的" PN结"面积较大,允许更大的电流(几的数十个) ,它可以用来变换交流电源到直流"整治"电路。平面二*管是一个*设计的硅二*管,它不*可以通过更大的电流,而且性能稳定*,以及更多交换机,以及高频率脉冲电路。
触发二*管
否
SEMTECH/先科
双向触发两*管DB3
其他
百分百原装
电子
20V-60V