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产品属性
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基本参数
RS75A
结构特点
由纯银片制成的变截面熔体封装于由*度瓷制成的熔管内;熔管中充满经化学处理过的高纯度石英砂作为灭弧介质;熔体二端采用点焊与触头牢固电连接。熔断体型式有方管刀形触头和方管平板形触头两种。熔断体可带指示器或撞击器,当熔体熔断时,指示器/ 撞击器立即动作,显示熔断体已熔断( 指示器)并推动微动开关( 撞击器),发出各种信号或自动切换电路。
用途
本系列熔断体适用于交流50Hz、额定电压至2000V、额定电流至2500A,主要用在电气线路中作为半导体设备的短路保护(aR)。
本系列熔断体额定分断能力至100kA。
本系列熔断体*合*标准GB13539.1、GB/T13539.4 和国际电工委标准IEC60269-1、IEC60269-4。
是
MIRO/茗熔
RS75A
660V / 1000V(V)
450-630(A)
100K(A)
如下基本参数(mm)
RS75A aR 450A,RS75A aR 500A,RS75A aR 550A,RS75A aR 600A,RS75A aR 630A,RS75AQ aR 500A
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