优势热卖价低,MOS管 FIR5N60F
地区:广东 深圳
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产品属性
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种类:*缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
材料:GE-N-FET锗N沟道
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
用途:HG/高跨导
开启电压:600(V)
夹断电压:600(V)
跨导:10(μS)
*间电容:100(pF)
低频噪声系数:10(dB)
*大漏*电流:10(mA)
*大耗散功率:100(mW)
场效应管基本特点
场效应管属于电压控制元件,这一点类似于电子管的三*管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的,与双*型晶体管相比,场效应晶体管具有如下特点:
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
(2)场效应管的输入端电流*小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三*管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的*辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。
FIRST
FIR5N60F
其他
其他IC
11+
TO-220F