供应达林顿三*管IC/芯片KTD829

Medium power linear/switching
applications
Features:
 High current output up to 10A
 Integrated antiparallel collector-emitter diode
Physical Characteristics:
Wafer diameter: 100&plu*n;0,5 mm
Wafer thickness: 300&plu*n;20 μm
Die size: 4,0*4,0 mm
Scribe width: 80 μm
Protection: polyimide or SiO2
Button site: Ti-Ni or Ti-Ni-Ag

我司可提供相关型号详细资料。

我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！