ESD防静电ESD9X7V二极管ESD9X7V

二极管的特性举例：

反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结，形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少，所以，一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。

温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。

反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时，因在一定温度条件下，少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿，对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

型号/规格

ESD9X7V

品牌/商标

WILLsemi

封装形式

FBP-02C

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

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