供应ESD防静电SFI0402-240E0R05P-LF静电保护二极管SFI0402-240E0R05P-LF

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TVS 即瞬态抑制二极管。瞬态抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。 

 

二极管的特性举例  

   1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

  对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。

  2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

  P型半导体中的少数载流子(电子)和N半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。

  温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。

  3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性

  当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。

 

型号/规格

SFI0402-240E0R05P-LF

品牌/商标

SFI

封装形式

C0402

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装