供应ESD防静电CDDFN2-T5.0LC静电保护二极管CDDFN2-T5.0LC

地区:广东 深圳
认证:

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过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

特点

 ESD保护最小化传输差分信号(TMDS)信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2ESD)±15kV(空气),±10kV的(接触)

IEC61000-4-5(闪电)3.5A8/20μS

工作电压5V及以下

超低电容:典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS(瞬态电压抑制)二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分

二极管的相关参数

    1、最高反向工作电压

加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工作电压值。例如,IN4001二极管反向耐压为50VIN4007反向耐压为1000V

2、 反向电流

反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

3、最大整流电流

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如,常用的IN40014007型锗二极管的额定正向工作电流为1A

4.动态电阻Rd

二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。

型号/规格

CDDFN2-T5.0LC

品牌/商标

BOURNS

封装形式

DNF-2

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装