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产品属性
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二极管的特性举例
1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性
对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。
2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。
温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。
3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性
当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。
ESD保护元件比较
对应力有不对称敏感度的电路节点,可能需要只有TVS二极管产品才能提供的单向保护。高速应用要求非常低的电容,这使得使聚合物器件具有吸引力。聚合物器件可以满足对低电容和保护能力的要求。为了让聚合物TVS产品可以用在高速应用中,高速节点需要在瞬态高压下工作以导通聚合物TVS,并在导通模式下提供中等阻抗。
过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。
SP1003-01ETG
LITTELFUS
SOD882
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
供应ESD防静电AOZ8818DI-03静电保护二极管AOZ8818DI-03
供应ESD防静电RS2TG515M二极管RS2TG515M
供应ESD防静电PRSB6.8C二极管PRSB6.8C
供应ESD防静电RS1E003T二极管RS1E003T
供应ESDA6V8UD韦尔原装TVS阵列保护
供应ESD防静电ESDR0502BT1G二极管ESDR0502BT1G
供应ESD防静电PJSD05LCFN2二极管PJSD05LCFN2
供应ESD防静电RS2TG125M二极管RS2TG125M
供应ESD防静电ESDLC5V0D9B二极管ESDLC5V0D9B
供应ESD保护二极管DF2B6.8M1ACT现货DF2B6.8M1ACT