供应ESD防静电SESD0201X1BN-0010-098静电保护二极管SESD0201X1BN-0010-098

地区:广东 深圳
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   基于二极管TVS产品拥有其它ESD保护产品所不具备的多用性——可选择单向和双向保护。基本二极管是单向产品,且是仅有的单向保护元件。串联结合两个二极管就能轻易地构成双向保护。双向保护可通过共阴极或共阳极配置来实现。使用一对单向TVS器件便能实现双向保护性能。市面上有多种基于双向二极管TVS器件,这些器件中的两个二极管均位于同一个封装,甚至经常集成在单个硅衬底上。

特点

 ESD保护最小化传输差分信号(TMDS)信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2ESD)±15kV(空气),±10kV的(接触)

IEC61000-4-5(闪电)3.5A8/20μS

工作电压5V及以下

超低电容:典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS(瞬态电压抑制)二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分

 

二极管的特性举例

   1、正向特性:二极管外加正向偏置电压时的V-I特性

对应于第①段的正向特性,此时加于二极管的正向电压只有零点几伏,但相对来说流过管子的电流却很大,因此管子呈现的正向电阻很小。但是,在正向特性的起始部分,由于正向电压较小,外电场还不足以克服PN结的内电场,因而这时的正向电流几乎为零,二极管呈现出一个大电阻,好像有一个门坎。 硅管的门坎电压Vth(又称死区电压)约为0·5V,锗管的Vth约为0·lV,当正向电压大于Vth时,内电场大为削弱,电流因而迅速增长。

2、反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子(电子)和N半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。

温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。

3、反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。

 

型号/规格

SESD0201X1BN-0010-098

品牌/商标

TYCO

封装形式

C0201

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装