供应ESD防静电PJSD05TM二极管PJSD05TM

过去，硅TVS器件由于电容高，在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而，近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上，ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

特点

 ESD保护最小化传输差分信号（TMDS）信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±10kV的（接触）

IEC61000-4-5（闪电）3.5A（8/20μS）

工作电压为5V及以下

超低电容：典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS（瞬态电压抑制）二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分