供应ESD防静电PJSD05MLTM二极管PJSD05MLTM

地区:广东 深圳
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二极管的特性举例

反向击穿特性:二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时, 因在一定温度条件下, 少数载流子数目有限,故起始一段反向电流没有多大变化,当反向电压增加到一定大小时,反向电流剧增,这叫做二极管的反向击穿, 对应于第③段,其原因与PN结击穿相同。

过去,硅TVS器件由于电容高,在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而,近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上,ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

 

公司分销:AMAZINGROHMNXPONPanasoicTOSHIBAHITACHIFAIRCHILDIR 等各种片状稳压、ESD静电保护TVS抑制管,高分子ESD保护,场效应、达林顿、变容、二、三极管。经销的产品广泛用于消费累电子、LED、家电、网络通讯、安防、汽车电子、航空、电表、仪器仪表、电源、计算机及外设等行业。

 

型号/规格

PJSD05MLTM

品牌/商标

PANJIT(强茂)

封装形式

SOD-923

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装