ESD防静电PESD5V0X1BL二极管PESD5V0X1BL

二极管的特性举例

反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时，因在一定温度条件下，少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿，对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

瞬态抑制二极管是一种能把瞬态电压抑制在被保护元件能承受的安全水平的高效能保护器件。瞬态电压是交流电路上电流与电压的一种瞬时态的畸变，会对微电子半导体芯片造成损坏。虽然有些微电子半导体芯片受到瞬态电压侵袭后,它的性能没有明显的下降，但是多次累积的侵袭会给芯片器件造成内伤而形成隐患。瞬态抑制二极管能够有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。

型号/规格

PESD5V0X1BL

品牌/商标

NXP（恩智浦）

封装形式

SOD882

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

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